陶瓷前躯体聚硅烷的电化学合成与表征

陶瓷前躯体聚硅烷的电化学合成与表征

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时间:2019-02-07

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1、}。海大学坝一卜训究生学位略文摘要聚硅烷是~类镊骨架中仅含硅原子的高聚物,具有独特的性质和用途。作为陶瓷前驱体,经高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其用途之~。本论文采用电化学法合成陶瓷前驱体聚硅烷,利用前驱体转化法制备碳化硅,来改进c/c复合材料的抗氧化性能。沦文主要工作为聚硅烷的电化学合成研究以及聚硅烷的陶瓷化研究。在电化学合成部分较系统地研究了电化学合成聚硅烷的影响因素(单体,支撑电解质,助剂和电量),并对其反应动力学进行了研究,初步探索了其反应机理。用IR、UV、OPC等表征分析了产物性能。结果表明:A1C13或溴化蒽三氯化铝离子液体作为支撑电解质,在溶剂中有更高的导电率,能取代传

2、统ff_]LiCl04。采用单体CH:。HSiCl7,CH:,SiCl,,PhSiCI:。和(CH={)!SiC]:,均能合成出液态聚硅烷,在四种单体中Phsic1.;的反应最快。在C11.。HSiCI:和c1{。sjcl:t的共聚反应中,预聚方式比混聚方式合成的聚硅烷更符合浸浈要求。当电量达到理论电量的t5a)舌,所有单体的反应速率已经很慢:在研究的三种引发剂中,对二溴苯刺+增加反应速率的作用最显著。在陶瓷化研究中,探索了聚硅烷交联固化的工艺条件,并将其应用于改‘P_}c/c复合材料。结果表明:交联固化体系的最佳配比为,PS/DVB等于I/O5;最佳固化温度在200。C;交联固化样

3、品烧结裂解反应主要发生在450℃左右;聚硅烷具有良好的浸渍性,可充分浸渍到c/c复合材料的内部孔隙,经过多次致密化后,可j哿.c/c复合材料转化为C/c—SiC复合材料。关键词:聚硅烷电化学合成反应动力学C/C复合材料抗氧化_

4、.海大学『[ij:f“研j‘生学位论文AbstractPolysilaneisakindofpolymerwithSibackboneshavingtheuniquepropertiesand1atentuses.Oneusageistopreparesiliconcarbideceramicbypyrolysisofit.Iothispaperthepoly

5、silaneasceramicprecursorwassynthesizedbytheelectrocbenricaImethod,andtheanti—oxidationpropertyofC/Ccompositescanbeimprovedbymatl。ixmodificationwithSiCtrailsformedfrOlll.polysilane.Theresearchincludestwoma}orparts:oneiStheelectrochemicalsynthesisofceramicprecursorpolysilane;andtheotheriStheCROSS

6、linkingandpyrolysisofpolysilane.InelectrochemicaIsynthesisofpolysilane.thei11fluentialfactors.suchasmonomers,supportingelectrolytes,additivesandelectricvoMne,wereinvestigated,andthereactionkineticswasalsodiscussed.ThereactionnlechanismofthepolymerizationwasproposedTheproductswerecharacterizedby

7、IR,UV,GPCandetaI.TheresultsindicatethatAIClloriOnliquidofanthracenebromide1lavehigherconductivityinTHF,beinggoodsubstitutesforLiCl04assupportingelectrolytes.Liquidpolysilanescaobesynthesizedwithfourdifferentmononlers(CH3HSiCI?,CFl3SiCl3,PhSiCl3and(CH3)2SiCl2)andthepolymerizationrateofPhSiCl3was

8、thehighest.Theproductfrompre—polymerizationwithmixtureofCH3HSiCl2andCH3SiCl3wasmoreadapttosoakagethanthatfrommixed—polymerization.Afterpassing15%oftheoreticelectricvolume,thereactionrateswereveryslow.Amongthethreeadditives.p-dibro

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