模电各章知识点总结

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划模电各章知识点总结　　第一章半导体二极管　　一.半导体的基础知识　　1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。　　3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。　　4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。　　5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入

2、微量的三价元素。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素。6.杂质半导体的特性　　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。　　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结　　*PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性　　二.半导体二极管目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其

3、在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划模电各章知识点总结　　第一章半导体二极管　　一.半导体的基础知识　　1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。　　3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。　　4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。　　5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体

4、:在本征半导体中掺入微量的三价元素。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素。6.杂质半导体的特性　　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。　　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结　　*PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性　　二.半导体二极管目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其

5、的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。　　*正向导通压降------硅管~，锗管~。*死区电压------硅管，锗管。　　3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳模电各章知识点总结)类半导体，空穴为多数载流子而电子为少子。　　6、N型

6、半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。　　7、PNP接正、N接负时P接负、N接正时，PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。　　8　　9、二极管由一个PN反偏其死区电压：Si管约，e其导通压降：Si管约，Ge管约为V。这两组数也是判材料的依据。　　10、稳压管是工作在反向击穿状态的：　　①加正向电压时，相当正向导通的二极管。　　②加反向电压时截止，相当断开。　　③加反向电压并击穿时便稳压为UZ。11　　二、

7、应用举例：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b、二极管反偏截止。f、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，使输出电压为U0=3V。G、因V1正向电压为10V，V2正向电压13V，使V2先导通，使输出电压U0=3V，而使V1反偏截止。h、同理，因V1正向电压10V、

8、V2正向电压为7V，所以V1先导通，输出电压U0=0V，使V2反偏截止。　　三、书P31习题：1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16　　1、　　《模电》第二章重点掌握内容：　　一、概念　　1、三