欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:30042691
大小:24.06 KB
页数:14页
时间:2018-12-26
《单侧导电的材料》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划单侧导电的材料 新型导电材料 一、无机半导体 无机半导体材料有硒、锗和单晶硅。后来发现由两种元素构成的化合物中,有些也有类似的性能。这两种元素分别来自元素周期表的第三主族和第五主族。由这两族元素形成的化合物如锑化铟是半导体材料,1975年来已用它制成最灵敏的近红外检测器。后来又研制成功用砷化镓单晶作为半导体材料,用于激光、激光显示器和长波光通讯中。 二、高分子半导体 高分子半导体一般认为有机化合物和高分子化合物都是不导电的绝缘体。如果改变高分子化合物的化学结构,可以
2、改变它的导电性,制成高分子导体、半导体和超导体。能形成长共轭体系的高分子化合物,有可能成为半导体。例如,聚乙炔[CH=CH]n中—CH=CH—是一个共轭体系,聚乙炔中的许多单体单元如果形成长共轭体系,聚乙炔就成为高分子半导体。能形成高分子半导体的还有聚丙烯腈、聚蒽、聚酞菁和三氮杂茂等。 三、超导体目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 超导体人工合成的纯单晶体无机聚合物——聚氮化硫[S
3、N]n,它有金属的导电性,在-℃温度下还显示超导性。它是第一个不含金属元素而有金属导电性的共价聚合物,也是第一个不含金属元素而显示超导性的共价聚合物。化学家研究了由三种元素组成的无机化合物,它在几千高斯的强磁场下仍有超导性。利用这种特性,用这超导体建立质密的高场强磁铁。到1986年末,科学家们发现钇钡铜复合氧化物具有超导性,如YBa2Cu3Ox,俗称为“1-2-3”化合物,当x值约为时,这就是一种有氧缺陷的非整比化合物,具有导电性。在上述化合物中,钇可以为其他的任何镧系元素取代,钡也可以部分用钙或锶取代,取代后的Tc值没有什么影响,一般都在-188~-175℃之间。我国在超导体上的研究
4、也已取得显著的成就。人们正在寻求在室温下也有超导性能的材料。 导电性相关资料 一、根据电磁屏蔽性能已掌握资料→电导率和哪些因素有关 电导率受温度、材料表面的氧化程度和化学成分的影响; 电导率的测试方法: 试样的电导率用电导率仪在20℃恒温条件下测定,试样加工成高10mm,直径15mm的圆柱标准电导率试样,每个试样测定不少于10个数据,结果取平均;目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训
5、计划 单位为:%IACS(internationalannealingcopperstandard)国际退火铜标准,电导率为58.0MS/m)时确定为100%IACS(国际退火铜标准),其他任何材料的导电率(%IACS)可用下式进行计算: 导电率(%IACS)=/ρ*100% Mg-Zn合金的电导率在30%-40%IACS左右; ZK60镁合金相对电导率28%-32%左右; Mg-Zn-Y-Zr合金电导率30%IACS左右; 根据Mattiessen的规则,所有材料的电阻率可以用如下的数学式表达: 式中ρt代表物质本身热效应对电阻率的贡献,ρi表示杂质对电阻率的贡献,ρd
6、表示缺陷对电阻率的贡献。 由于各种状态下同类合金样品有相同的测量程序和相同的纯度,故热效应和杂质对电阻率的影响一般可以忽略。 但缺陷对电阻率的贡献是复杂的,这是与缺陷的类型、数量和结构有关。我们知道,缺陷可分为: (1)点缺陷; (2)线缺陷; (3)面缺陷。 实际上在对镁合金进行热挤压时,会在挤压变形过程中发生动态再结晶,所以点缺陷中的空位和位错可以忽略。因此不同样本电阻率的差异应该只需从面缺陷和固溶元素方面考虑。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车
7、场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 1、面缺陷 对于面缺陷中的晶界:合金晶界的密度是由晶粒尺寸决定的。但对所研究的样品的电阻率来说,晶界对电阻率的贡献是可以忽略不计的【原因来自引文1:不同样品晶粒尺寸为5-11μm,晶界密度为×10^×10^6m2/m3,如果认为镁合金晶界电阻率和铝类似,即都为×10^-16Ω㎡,则晶界对电阻率的贡献为×10^-10-×10^-10Ω㎡则对于这些样品来说,晶界对电
此文档下载收益归作者所有