关於io上拉电阻的问题

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1、关于I/O口上拉电阻阻值问题的讨论如果是驱动led，那么用1K左右的就行了。如果希望亮度大一些，电阻可减小，最小不要小于200欧姆，否则电流太大；如果希望亮度小一些，电阻可增大，增加到多少呢，主要看亮度情况，以亮度合适为准，一般来说超过3K以上时，亮度就很弱了，但是对于超高亮度的LED，有时候电阻为10K时觉得亮度还能够用。我通常就用1k的。对于驱动光耦合器，如果是高电位有效，即耦合器输入端接端口和地之间，那么和LED的情况是一样的；如果是低电位有效，即耦合器输入端接端口和VCC之间，那么除了要串接一个1——4.7k之间的电阻以外，同时上拉电阻的阻值就可以用的特别大

2、，用100k——500K之间的都行，当然用10K的也可以，但是考虑到省电问题，没有必要用那么小的。对于驱动晶体管，又分为PNP和NPN管两种情况：对于NPN，毫无疑问NPN管是高电平有效的，因此上拉电阻的阻值用2K——20K之间的，具体的大小还要看晶体管的集电极接的是什么负载，对于LED类负载，由于发管电流很小，因此上拉电阻的阻值可以用20k的，但是对于管子的集电极为继电器负载时，由于集电极电流大，因此上拉电阻的阻值最好不要大于4.7K，有时候甚至用2K的。对于PNP管，毫无疑问PNP管是低电平有效的，因此上拉电阻的阻值用100K以上的就行了，且管子的基极必须串接一

3、个1——10K的电阻，阻值的大小要看管子集电极的负载是什么，对于LED类负载，由于发光电流很小，因此基极串接的电阻的阻值可以用20k的，但是对于管子的集电极为继电器负载时，由于集电极电流大，因此基极电阻的阻值最好不要大于4.7K。对于驱动TTL集成电路，上拉电阻的阻值要用1——10K之间的，有时候电阻太大的话是拉不起来的，因此用的阻值较小。但是对于CMOS集成电路，上拉电阻的阻值就可以用的很大，一般不小于20K，我通常用100K的，实际上对于CMOS电路，上拉电阻的阻值用1M的也是可以的，但是要注意上拉电阻的阻值太大的时候，容易产生干扰，尤其是线路板的线条很长的时候

4、，这种干扰更严重，这种情况下上拉电阻不宜过大，一般要小于100K，有时候甚至小于10K。根据以上分析，上拉电阻的阻值的选取是有很多讲究的，不能乱用，具体情况比较复杂，如果你是个莱鸟，那么你尽量用小一些的，这样牺牲一些电源功耗。不过最好请教一下有关人员。 我也不是很懂.不过,我是这么想的,请老丐多指教!假如P0口驱动的是一排(8个)发光二极管吧.那么当二极管发光时,它两端的电压为0.7V(一般二极导通后的电压为0.7V),工作电流10mA而我们单片机的工作电压一般为5V,那么它接的上拉电阻为:R=(5V-0.7V)/10mA=430欧.所以我认为应该为400欧左右.不

5、知道对不对呀. 照楼上朋友的思路,我想应该是(因发光二极管的电压一般是1.8V左右,)200欧姆左右 发光二极管正常工作时二端电压是在1。8V左右。强调：P口仅仅适合接共阳LED，不适合接共阴，如果一定要共阴，必须先用驱动电路驱动。能用共阳就能用共阳其实道理一样的当你共阳的时候电流其实也是从正电源流入P口的，共阳接法假设限流电阻用1K的话，那流入P口电流约是（VCC-2）/1K=3MA共阴接法上拉电阻也选用1K，P口高阻状态时LED是亮的，这时候流过P口电流为零流过LED电流和上面共阳接法一样，也是3MA当LED灭的时候，电流全部从P口流入，即3MA电流全部被P口吸

6、收，LED不亮既然共阳接法P口能吸入3MA电流，为什么共阴接法就不行呢！！其实我看过很多电路图就是这样接的。。。楼主其实没说清楚比如驱动LED的时候，应该分二种情况比如用共阳接法和共阴接法，共阳的时候LED正端接正电源，负端通过一个限流电阻接P口，这时不用接上拉电阻，只要这个限流电阻取合适就可以了发光管亮的时候电流就是从电源正——LED——限流电阻——P口，P口为低电位发光管灭的时候没有电流流过，P口为高电位或高阻状态共阴接法，LED负端接地，正端直接P口，这时候要接上拉电阻，这个上拉电阻是提供LED发光用的，发光管亮的时候电流是从电源正——上拉电阻——LED——地

7、。这时上拉电阻也是限流用的。P口为高电位或高阻状态发光管暗的时候电流是从电源正——上拉电阻——P口，这时LED无电流流过，P口为低电位，限流电阻上流过电流全部从P口流入。其他情况就不细分析了要从单片机的输出驱动能力开始讲起。单片机输出驱动分为高电平驱动和低电平驱动两种方式，所谓高电平驱动，就是端口输出高电平时的驱动能力，所谓低电平驱动，就是端口输出低电平时的驱动能力，当单片机输出高电平时，其驱动能力实际上是*端口的上拉电阻来驱动的，实际测试表明，51单片机的上拉电阻的阻值在330K左右，也就是说如果*高电平驱动，本质上就是*330K的上拉电阻来提供电流的，当然该