高频diode选型参考

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1、高频Diode选型参考在高频应用下的Diode除了考虑耐流、耐压、VF之外，反向恢复时间Trr也是一个重要参数。测试条件不同，Trr的差异很大。电流，电流变化率，电压，温度均会影响此参数。目前在此参数的标示上，各厂有所差异。某些厂家仅表示不严重情况下的trr，对我们选型造成困扰。以Galleon1KConverter二次侧整流Diode为例，这颗工作频率在90KHZ左右，如果反向恢复时间过长，开关损耗会很严重。目前我们选用的是FairChild的RHRP8120。反向恢复时间定义如下：在规格中定义了测试的dF/dt是200

2、A/us，IF越大，时间越长。另外随着温度的升高，Trr也会增大。可以看出在175度下，IF=8A，dF/dt在200A/us时Trr最大为100ns。此次缺料，我们接触到另外几家供应商。元耀HFR8A12，在此规格上是这样定义的看起来trr比FC的还要好。但是它的Note1有标注了测试条件如下：这个数值时在0.5A条件下取得的，但是我们实际应用要远大于0.5A。其在规格书上没有定义当IF增大后，Trr怎样变化。我们实际在机器上测试，温升很高，无法达到平衡。所以在选型时一定要注意规格书上标注的参数时的testconditi

3、on—IF，dF/dt，温度……。